최근들어 반도체 공정에서 집적도가 증가함에 따라 Gate Oxide 를 형성하는 데 있어서 ALD(Atomic layer deposition) 공법을 적용하고 있다. 1) ALD 공법에 대하여 정의하고, 2) 박막 형성 공정을 도식화하여 설명하고, 3) 일반적인 CVD 공법과 비교하여 ALD 공법의 장점을 2 가지 이상 열거하시오.
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